2016年5月10日，德国慕尼黑讯英飞凌科技股份公司发售革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上超过前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC MOSFET不具备更大灵活性，可提高效率和频率。它们将有助电源切换方案的开发人员节省空间、减低重量、减少风扇拒绝，并提升可靠性和减少系统成本。　　英飞凌工业功率掌控事业部总裁Helmut Gassel博士认为：20多年来，英飞凌仍然回头在研发SiC解决方案的最前茅，致力于满足用户对节约能源、削减尺寸、系统集成和提升可靠性的市场需求。

英飞凌生产出有数百万件所含SiC器件的产品，而我们的肖特基二极管和J-FET技术使设计人员需要构建利用传统芯片不有可能超过的功率密度和性能。该解决方案现在朝前迈进了一大步，将功率MOSFET涵括在内，这使得从SiC技术取得的益处将被提高到前所未有的新水平。　　SiC MOSFET带给的影响十分贞着。

电源切换方案的电源频率可超过目前所用电源频率的三倍或以上。这能带给诸多益处，如增加磁性元件和系统外壳所用的铜和铝两种材料的用量，便于打造出更加小、轻巧的系统，从而增加运输工作量，并且更加便于加装。新的解决方案有助节约能源的特点由电源切换设计人员来构建。

这些应用于的性能、效率和系统灵活性也将提高至全面层面。　　全新1200 V SiC MOSFET经过优化，兼备可靠性与性能优势。它们在动态损耗方面竖立了新的标杆，比起1200 V硅（Si）IGBT较低了一个数量级。这在最初可以反对光伏逆变器、不间断电源（UPS）或电池/储能系统等应用于的系统改良，此后可将其范围不断扩大到工业变频器。

　　该MOSFET几乎相容一般来说用作驱动IGBT的+15 V/-5 V电压。它们将4 V基准阈值额定电压（Vth）与目标应用于拒绝的短路鲁棒性和几乎高效率的dv/dt特性融合一起。

与Si IGBT比起的关键优势还包括：独立国家于温度的开关损耗和无阈值电压的静态特性。　　全新MOSFET融汇了多年SiC半导体研发经验，基于先进设备的沟槽半导体工艺，代表着英飞凌CoolSiC 产品家族的近期发展。该产品系列还包括肖特基二极管和1200 V J-FET器件以及在一个模块中构建Si IGBT和SiC二极管的一系列混合解决方案。　　首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的导通电阻（RDS(ON)）额定值为45 m。

它们将使用3插槽和4插槽TO-247PCB，针对光伏逆变器、UPS、电池电池和储能应用于。由于构建了反向恢复损耗相似零的轻巧型体二极管，所以这两种型号的器件都供用作实时整流方案。4插槽PCB有一个额外的源极相连端子（Kelvin），作为门近于驱动电压的参照电位。通过避免由于源近于电感引发的压降的影响，这可以更进一步减少开关损耗，特别是在更高电源频率时。

　　另外，英飞凌还宣告发售基于SiC MOSFET技术的1200 VEasy1B半桥和降压模块。这些模块使用PressFIT相连，有较好的热界面、低杂散电感和牢固的设计，每种PCB的模块皆有11 m和23 m的RDS(ON)额定值选项。

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